دانلود سورس و کد

تحقیق در مورد ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET

تحقیق در مورد ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET
دسته بندی : سایر رشته ها ...
تگ : ترانزیستور,جیفت,JFET,مهندسی مواد, دانشگاه صنعتی شریف
تحقیق در مورد ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET

ترانزیستوراثر میدان، دسته ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط ِیک میدان الکتریکی صورت میگیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، میتوان آنها را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حاملهای اکثریت و اقلیت همزمان در آنها نقش دارند) قرار میگیرند. ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایه ای سورس، درین و گیت هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ماسفت و جیفت تقسیم میشوند. در این تحقیق میخواهیم به بررسی ترانزیستورهای نوع JFET بپردازیم.

• ارائه شده در دانشگاه صنعتی شریف
• قابل ارائه برای رشته های مهندسی موادو فیزیک
• قابل ارائه برای درس های خواص الکترونی مواد، کریستالوگرافی، فیزیک حالت جامد و ..

download - دانلود

تحقیق در مورد نیمه هادی هاو پیوند پی - ان (p-n junction)

تحقیق در مورد نیمه هادی هاو پیوند پی - ان (p-n junction)
دسته بندی : سایر رشته ها ...
تگ : نیمه هادی ها,مهندسی مواد, خواص الکترونی مواد,پیوند پی ان,ترانزیستور
تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی - ان (p-n junction)

دیودها پیش از ترانزیستورها ابداع شدند و برای یکسوسازی مورد استفاده قرار گرفتند، به این ترتیب که جریان متناوب را می توان به واسطه ی بهرهگیری از خاصیت یکسویی دیودها به جریان مستقیم تبدیل کرد جریان معمولاً فقط در یک جهت به صورت مؤثر در دیود شارش می کند، و شارش جریان در جهت مخالف سد می شود. از این خاصیت دیودها در منابع تغذیه و نیز در بسیاری از مدارهای دیگر مانند مدارهایی که در رادیوها و محدودسازها یافت می شوند، استفاده می شود. از آن جا که رسیدن به درکی از دیودها برای تشریح مبانی ترانزیستورها نیاز است، دیودها را اغلب به عنوان زیربنای ترانزیستورمطرح می کنند. بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر میباشند.

• ارائه شده در دانشگاه صنعتی شریف
• قابل ارائه برای رشته های مهندسی موادو فیزیک و مهندسی برق
• قابل ارائه برای درس های خواص الکترونی مواد، اصول مهندسی سرامیک، فیزیک حالت جامد و ...

download - دانلود